想了想，周启仁决定不去吃午茶，跟玛格丽说了句“我还有论文要写”，然后便匆匆的回实验室了。

　　 接下来两天，周启仁就跟着了魔一样，有生物电的辅助，用双渗杂技术和垂直冷却法拉出了硅和锗，制作出了十个纯度不是很高的锗基NPN结式晶体管和锗片上的集成电路，其中的晶体管和被动元件是用铝条连接起来的。

　　 这种最简单的集成电路离前世动辄纳米级的芯片还有十万八千里，但是离自己的登月计划更近了一步。

　　 1947年12月23日，美国贝尔实验室正式地成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管，标志着现代半导体产业的诞生和信息时代的开启。晶体管可以说是20世纪最重要的发明，到今天已经两年多了。

　　 从实用的角度来看，点接触式晶体管的产量非常有限，不能算是商业上的成功；周启仁制造出来的这个结式晶体管却使得现代半导体工艺成为可能，为许多半导体公司的兴起做出了重大贡献。

　　 半导体科技的发展是材料、物理和器件这三者相互促进、相辅相成的结果：为了制作性能好的器件，需要了解材料的物理特性以及相应的物理过程和规律，而这又需要可靠的仪器来测量质量足够好的材料。

　　 半导体科学研究始于19世纪初叶，那时候研究的都是自然界里的材料(矿石晶体)。

　　 1833年，法拉第在研究硫化银的电导时，第一次观察到电阻的负温度系数。

　　 1873年，史密斯在体材料硒中发现光电导效应。

　　 1874年，布劳恩在一些金属硫化物表面发现了整流效应。

　　 1876年，亚当斯和戴伊在硒材料里发现了光伏效应。

　　 1879年，霍尔发现了现在所谓的“霍尔效应”，并在某些材料中发现了带有正电荷的载流子。

　　 也就是说，在晶体管发明之前70年，人们已经发现了半导体材料的几大基本特性：电阻率的负温度系数和光电导效应(都是体材料的效应)，光伏效应和整流效应(某种半导体与其他材料之间的接触效应)，存在正电荷的载流子(这就是半导体中的“空穴”)。

　　 在这个时期，人们既不理解决定材料特性的基本理论，也不能自己制备高质量的材料，表征技术也很粗糙，只能用试错法来摸索。

　　 此后的研究取得了一定的进展，特别是发明了基于金属-半导体材料接触的整流器，在无线电通讯中发挥了重要作用，布劳恩也因此(与马可尼一起)获得了1909年的诺贝尔物理学奖。

　　 真正的转折出现在1926年新量子力学理论诞生以后。

　　 1931年，英国的威尔逊将量子理论应用到晶体里，提出了能带理论，终于能够解释金属、半导体和绝缘体在导电性上的差别，能隙决定了半导体的特性。1932年，他又提出了杂质能级和缺陷能级的概念，为理解掺杂半导体的导电机理做出了重大贡献。1939年，他出版了《半导体与金属》。

　　 1939年，毛熊国的达维多夫、英国的莫特和德国的肖特基独立提出了势垒理论，解释金属-半导体接触的整流效应。1940年，塞兹出版了《现代固体理论》。至此，晶体管的基础理论工作就齐全了。

　　 与此同时，半导体材料的生长技术也有了长足的进步。在20世纪40年代，垂直冷却法被用于硅和锗，并首次观察到了p-n结。拉晶法和逐区精炼法也是在那个时期提出的，并且从锗熔液和硅熔液里拉出了单晶。

　　 现在，晶体管和晶体管化的设备并不受欢迎，因为它太贵了。但是米国很感兴趣，因为设备对便携性、可靠性和耐用性有着特殊的要求。

　　 因为要启动登月计划，所以减轻重量就更有必要了，所有的电子设备都尽可能地是用晶体管，如果有先进的集成电路更是如虎添翼了。

　　 把专利申请书丢给赫伯特霍尔曼后，周启仁寻思着得多萝西的实验室找几个人来帮忙研发分区提纯法的设备。哪知他到多萝西实验室缠着她协调几个研究员过来。

　　 多萝西却得无奈的告诉周启仁，她的实验室因为前面那几篇重量级的论文，已经归属牛津大学莫萨尔学院接管了，把周启仁给气的呀，最后实在没办法了，只好提前发布这款结式晶体管和最简单的集成电路，以后新学院建立后得多培养些自己的尖端人才。

　　 .........

　　 不到五天，比尔哈维就给了周启仁答复，他分别以瑞士周氏公司和凤凰公司的名义只用一百万英镑的价格买入了刚成立的新汽车联盟81%的股份。

　　 只是那个钢铁巨人弗里德里希·弗利克，就算身陷牢笼死活也不肯出售钢铁业务，但同意4500万美元现金出售煤炭业务。

　　 有这么多钱还看得上你这点的煤炭业务？

　　 既然他不肯就范，那只能对他们弗利克家族进行截胡了，周启仁吩咐比尔哈维帮他暗中收购被严重低估的造纸、化学、化纤及汽车等行业，特别是去年刚复产的戴姆勒-奔驰公司........

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